本次研讨会由HORIBA携手上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了诸多技术专家与前端企业共聚一堂，共同探讨光刻胶、宽禁带材料和光掩膜等关键领域的创新发展。

　　2024年3月23日，HORIBA 开放日——半导体材料表征主题研讨会在HORIBA集团全新投资的厚立方大楼(C-CUBE) 成功举办。本次研讨会由HORIBA携手上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了诸多技术专家与前端企业共聚一堂，共同探讨光刻胶、宽禁带材料和光掩膜等关键领域的创新发展。

　　会议伊始，日本半导体设备协会专务理事Kiyoshi WATANABE先生、上海集成电路材料研究院副总经理、集成电路材料创新联合体秘书长冯黎女士，以及HORIBA前沿应用开发中心总监沈婧博士分别发表欢迎致辞。他们强调了半导体材料表征在推动产业进步中的重要作用，并期待通过本次研讨会能够汇聚各方智慧，共同推动半导体产业创新。

　　作为现代电子技术的核心领域，半导体工业的发展离不开量测手段、创新研发、材料表征以及检测方法的支持。为此，HORIBA精心安排了四位讲师就这四个维度进行了深入分享。首先，HORIBA集团半导体全球业务负责人Ramdane BENFERHAT博士介绍了HORIBA在半导体产业材料表征及制程监控的能力，他还特别强调了公司在光刻胶、宽禁带半导体和光掩膜等材料领域的解决方案，这些方案有望为半导体企业提速增效提供有力支持。

　　△ Ramdane BENFERHAT博士指出，随着AI智能、高速快充及新能源汽车等新兴应用快速发展，半导体解决方案的不断优化创新正是产业发展的强劲动力。

　　在精确计量和检测方案多样化需求的驱动下，集成电路材料的创新研发前景自然令人欣喜。来自上海集成电路材料研究院的黄嘉晔博士紧接着为来宾们介绍了集成电路材料的现状，同时他强调了合作与开放的重要性，呼吁各方加强交流与合作，共同推动半导体产业的繁荣发展。

　　△ 上海集成电路材料研究院的黄嘉晔博士表示，上海集成电路材料研究院作为聚焦于集成电路材料的创新研发平台，以全面、客观、高效的材料研发创新为目标，为产业发展保驾护航。

　　短暂的茶歇后，来宾们带着对创新研发平台的期待，共同探讨了宽禁带半导体材料的热点话题——碳化硅单晶的缺陷表征。浙江大学杭州国际科创中心的研究员王蓉教授详细介绍了拉曼光谱对分析碳化硅晶型、应力分布、掺杂浓度的重要意义以及光致发光技术对碳化硅缺陷分析的重要作用，为研究人员丰富了碳化硅缺陷调控与表征的思路。

　　了解了半导体材料的调控方法后，如何对材料进行准确的检测更是保证产品质量的关键。上海集成电路材料研究院的刘国林博士就集成电路材料检测标准方法进行了深入讲解。

　　△ 刘国林博士为现场观众系统介绍了集成电路材料的物理和化学检测方法，并展示了集成电路材料研究院的检测能力与实例。

　　四位讲师的精彩报告过后，来宾们在工作人员的引导下参观了厚立方（C-CUBE）。位于二楼的前沿应用开发中心（Analytical Solution Plaza，简称ASP），是HORIBA依托资深的专业技术团队，致力于与中国用户深化合作、协同创新、探索解决方案而打造的综合平台，也是本次参观的重点。在ASP应用专家团队的精彩讲解下，多款分析检测仪器给来宾们留下了深刻印象，为未来多方合作奠定了基础。例如，在半导体材料表征阶段，拉曼光谱仪能为结晶度/分子浓度、缺陷/杂质分析、应力和化学组成等提供检测支持；荧光光谱仪则为材料禁带宽度提供了快速精准的结果。此外，氧氮氢分析仪、辉光放电光谱仪以及X射线荧光显微分析仪，为元素分析提供了多元化的解决方案；椭圆偏振光谱仪不仅能够检测膜厚，还能对光刻胶进行表征；光掩模颗粒检测系统（PD Xpadion）则能快速对光罩进行精准而全面的颗粒扫描，为工程师颗粒监控提供便利。粒度仪能够对CMP浆料进行颗粒分析，精准表征工作颗粒的尺寸和分布。

　　△ 厚立方（C-CUBE）参观活动充分展现了HORIBA的技术实力与团队风采。本次由HORIBA与上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体联合举办的研讨会不仅为业内专家和企业搭建了一个交流与合作的平台，更为半导体产业的蓬勃发展注入了活力。与会者纷纷表示收获颇丰，结识了众多志同道合的伙伴，为未来的合作与发展牢筑基石。

　　△ 现场气氛热烈，来宾们互相交流学习，收获颇丰。展望未来，半导体产业将在各方共同努力下持续快速发展，HORIBA也将继续通过一系列开放日活动，为更多国内研发机构及前端企业提供卓越的技术支持与服务，让我们一起“分析见世界，合作创未来”！